STP100N10F7技术资料：MOSFET N CH 100V 80A TO-220
其它有关文件： STP100N10F7ViewAllSpecifications标准包装：1,000系列：StripFET™VII,DeepGATE™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：80A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8毫欧@19A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：56nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4390pF@25V功率-最大值：150W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220
